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Tutorial di commutazione del MOSFET di potenza a canale N

Simboli schematici del MOSFET.
Piastra 1

di Lewis Loflin

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Aggiornamento dicembre. 2019. Molti micro-controllori oggi utilizzano Vcc a 3,3 volt. Questo vale anche per Raspberry Pi. Ho trovato due MOSFET che funzionano a 3,3 volt.

Il IRFZ44N è un dispositivo a canale N nominale a 55 V e RDS(on) resistenza di 0.032 Ohm max. L’altro è un dispositivo a canale P valutato a 55V e un RDS(on) di 0,02 Ohm max.

Vedere le seguenti schede tecniche:

  • irfz44n.pdf
  • irf4905.pdf

Vedi anche Transistor MOSFET di potenza di prova, risultati, osservazioni

Qui impareremo come funzionano i MOSFET di potenza a canale N. In questo esempio sto usando i dispositivi in modalità di miglioramento. Per utilizzare i MOSFET in modalità di esaurimento è sufficiente invertire i circuiti in cui un MOSFET in modalità di esaurimento a canale N utilizzerà una variazione del circuito in modalità di miglioramento del canale P.

Nel piatto 1 abbiamo i simboli per la modalità di esaurimento e la modalità di miglioramento MOSFET – notare il tratteggiato contro linee continue. In modalità di esaurimento La tensione di gate MOSFET chiude il canale conduttivo dalla sorgente (S) allo scarico (D). Con una modalità di miglioramento MOSFET tensione di gate apre il canale conduttivo dalla sorgente allo scarico.

Interruttore MOSFET a canale N.
Piastra 2

Negli esempi precedenti stiamo accendendo/spegnendo un LED utilizzando MOSFET di potenza. Nel caso del canale N come l’IRF630 quando il gate (G) è maggiore di 5 volt il LED si accende. Il resistore sul gate del MOSFET a canale N viene utilizzato per spurgare la carica elettrica dal gate e spegnere il MOSFET. La resistenza può essere 5K-10K.

IRF630 e IRF9630
Piastra 4

La differenza di tensione tra il gate e la sorgente accenderà il MOSFET, ma non deve superare un valore nella scheda tecnica noto come Vgs. Per fare ciò danneggerà il dispositivo. Nel caso dei MOSFET IRF630 e IRF9630 tale valore è di 20 volt.

Nota i diodi interni di soppressione parassitaria sono da utilizzare con carichi magnetici. Non tutti i MOSFET di potenza hanno quelli in modo da controllare i fogli di specifiche. Questi transistor particolari sono ottimizzati per la commutazione e non per l’uso in amplificatori audio.

MOSFET di potenza H-Bridge circuito di base.
Piastra 5

Il più grande uso di questi circuiti è controlli motore H-bridge. Sono utilizzati in combinazione con interruttori MOSFET a canale N.

Si noti che Rg (o Rgs) viene utilizzato per spurgare le cariche dalle porte MOSFET altrimenti potrebbero non spegnersi.

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