プレート1
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更新Dec. 2019. 今日の多くのマイクロコントローラは3.3ボルトVccを使用しています。 これはRaspberry Piにも当てはまります。 私は3.3ボルトで動作する二つのMosfetを見つけました。IRFZ44Nは、定格55VのNチャネルデバイスで、RDS(on)抵抗は最大0.032Ωです。 もう1つは、定格55VのPチャネルデバイスで、RDS(on)は最大0.02Ωです。
次の仕様シートを参照してください。
- irfz44n.pdf
- irf4905。pdf
また、テストパワー MOSFETトランジスタ、結果、観測を参照してください
ここでは、パワー nチャネルパワー Mosfetがどのように動作するかを学びます。 この例では、enhancement modeデバイスを使用しています。 空乏モードMOSFETを使用するには、Nチャネル空乏モードMOSFETがpチャネル拡張モード回路のバリエーションを使用する回路を逆にするだけです。
プレート1では、空乏モードとエンハンスメントモードMosfetの記号があります-破線と実線に注意してください。 空乏モードでは、MOSFETのゲート電圧は、ソース(S)からドレイン(D)への導電性チャネルを閉じます。 強化モードでは、MOSFETsのゲート電圧は、ソースからドレインへの導電性チャネルを開きます。NチャネルMOSFETスイッチ。
Plate2
上記の例では、パワー Mosfetを使用してLEDのオン/オフを切り替えています。 ゲート（G）が5ボルトより大きいときIRF630のようなNチャネルの場合にはLEDは切れる。 NチャネルMOSFETのゲート上の抵抗は、ゲートからの電荷をブリードオフし、MOSFETをオフにするために使用されます。 抵抗は5K-10Kにすることができます。
プレート4
ゲートとソースの間の電圧差はMOSFETをオンにしますが、vgsと呼ばれるスペックシー これを行うには、デバイスが損傷します。 IRF630およびIRF9630Mosfetの場合、その値は20ボルトです。
注内部寄生抑制ダイオードは磁気負荷で使用するためのものです。 すべてのパワー Mosfetがそれらを持っているわけではありませんので、仕様書を確認してください。 これらの特定のトランジスタは、オーディオアンプでの使用ではなく、スイッチング用に最適化されています。パワー MOSFET Hブリッジ基本回路。
プレート5
これらの回路の最大の使用は、Hブリッジモータ制御です。 これらは、NチャネルMOSFETスイッチと組み合わせて使用されます。RG（またはRgs）は、mosfetゲートから電荷をブリードするために使用されます。/p>
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