levy 1
webmasterin kotisivut ja yhteystiedot.
Hobby Electronicsin kotisivut.
Päivitä jouluk. 2019. Monet mikro-ohjaimet käyttävät nykyään 3,3 voltin Vcc: tä. Tämä pätee myös Vadelma Pi. Löysin kaksi Mosfetiä, jotka toimivat 3,3 voltilla.
IRFZ44N on N-kanavainen laite, joka on mitoitettu 55v: llä ja RDS(on) – resistanssilla 0,032 ohmia max. Toinen on P-kanavan laite mitoitettu 55v ja RDS (on) on 0,02 ohmia max.
katso seuraavat tiedot:
- irfz44n.pdf
- irf4905.pdf
Katso myös Testitehot MOSFET-transistorit, tulokset, havainnot
täältä opimme, miten teho n-kanavaiset tehomosfetit toimivat. Tässä esimerkissä käytän enhancement mode-laitteita. Käyttääksesi ehtymistilaa MOSFETit yksinkertaisesti kääntävät piirejä, joissa N-kanavainen poistumistila MOSFET käyttää P-kanavan tehostustilan piirin muunnelmaa.
levyllä 1 on merkit ehtymistilasta ja parannustilasta MOSFET – huomaa katkeaminen vs. kiinteät viivat. Ehtymistilassa MOSFET-portin jännite sulkee johtavan kanavan lähteestä (lähteistä) viemäriin (D). Kanssa lisälaite tilassa MOSFETs gate jännite avaa johtavan kanavan lähteestä valua.
levy 2
yllä olevissa esimerkeissä kytketään LED päälle / pois virtamosfeteillä. Kun kyseessä on N-kanava, kuten IRF630, kun portti (G)on suurempi kuin 5-volttia, LED katkaisee. N-kanavan MOSFETin portissa olevaa vastusta käytetään vuodattamaan sähkövaraus portista pois ja sammuttamaan MOSFET. Vastus voi olla 5K-10K.
levy 4
portin ja lähteen välinen jännite-ero kytkeytyy MOSFETiin, mutta ei saa ylittää arvoa spec-arkissa, joka tunnetaan nimellä Vgs. Tehdä niin vahingoittaa laitetta. IRF630: n ja IRF9630 Mosfetsin tapauksessa kyseinen arvo on 20 volttia.
huomaa, että sisäisiä loisenestodiodeja käytetään magneettisten kuormitusten kanssa. Kaikissa power Mosfeteissa ei ole niitä, joten tarkista tekniset tiedot. Nämä erityisesti transistorit on optimoitu kytkentä eikä käytettäväksi audio Vahvistimet.
levy 5
näiden piirien suurin käyttökohde ovat H-sillan moottoriohjaimet. Niitä käytetään yhdessä N-kanavan MOSFET-kytkimien kanssa.
huomaa, että RG: tä (tai Rgs: ää) käytetään latausten tyhjentämiseen MOSFETin porteista tai muuten ne eivät saa sammua.
- :
- N-kanavan Tehomosfet-Kytkintutoriaali
- P-kanavan Tehomosfet-Kytkintutoriaali
- Testitehomosfet-transistorit, havainnot
- kysymyksiä MOSFET-transistorien kytkemisestä rinnakkain
- Basic MOSFET-Transistoritestipiirit
- miksi MOSFET-Transistorisi kuumenevat YouTube
- kysymyksiä MOSFET-transistorien kytkemisestä rinnakkain YouTube
- yksinkertaiset piirit MOSFET-transistorien testaamiseen Youtube
- Uln2003a Darlington-Transistoririvistö, jossa on Piiriesimerkkejä
- opetusohjelma Tip120: n ja Tip125: n avulla Power Darlington Transistors
- Driving 2n3055-MJ2955 Power Transistors with Darlington Transistors
- Understanding Bipolar Transistor Switches
- n-Channel Power MOSFET Switching Tutorial
- P-Channel Power MOSFET Switch Tutorial
- H-Bridge Motor Control with Power MOSFETS
- more Power MOSFET H-Bridge Circuit Examples
- Build a High Power transistorin H-sillan Moottoriohjaus
- Uusi Nov. 2014
- käyttäen ULN2003A-Transistoriryhmää Arduino YouTuben kanssa
- ULN2003A Darlington-Transistoriryhmää, jossa on Piiriesimerkkejä
- käyttäen TIP120 & TIP120 Darlington-transistoreita Arduino YouTuben kanssa
- Tutorial Using TIP120 and TIP125 Power Darlington-transistoreita
- Driving 2n3055-MJ2955 Power Transistors with Darlington Transistors
- using power MOSFETs with Arduino Youtube
- n-channel power MOSFET switching tutorial
- P-Channel Power MOSFET Switch tutorial
- using PNP BIPOLAARITRANSISTORS with Arduino, PIC YouTube
- Using NPN Biploar Transistors with Arduino, PIC YouTube
- Understanding Bipolaaritransistorikytkimet
- How to build a Transistor H-Bridge for Arduino, PIC YouTube
- Build a High Power Transistor H-Bridge Motor Control
- MOSFET h-siltapiiriesimerkit
Build A Power MOSFET H-Bridge for Arduino, PIC YouTube
en. Electronics