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Tutorial de conmutación de MOSFET de alimentación de canal N

Símbolos esquemáticos de MOSFET.
Placa 1

por Lewis Loflin

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Actualizar Diciembre. 2019. Muchos microcontroladores de hoy en día utilizan Vcc de 3,3 voltios. Esto también es cierto para Raspberry Pi. Encontré dos MOSFETs que funcionan a 3,3 voltios.

El IRFZ44N es un dispositivo de canal N con una resistencia nominal de 55 V y RDS(encendido) de 0,032 Ohmios máx. El otro es un dispositivo de canal P con una potencia nominal de 55 V y un RDS (encendido) de 0,02 Ohmios máx.

Ver las siguientes hojas de especificaciones:

  • irfz44n.pdf
  • irf4905.pdf

También consulte Transistores de MOSFET de potencia de prueba, Resultados, Observaciones

Aquí aprenderemos cómo funcionan los MOSFET de potencia de canal n de potencia. En este ejemplo, estoy usando dispositivos en modo de mejora. Para usar MOSFET en modo de agotamiento, simplemente invierta los circuitos donde un MOSFET en modo de agotamiento de canal N usará una variación del circuito en modo de mejora de canal P.

En la placa 1 tenemos los símbolos para el modo de agotamiento y los MOSFETs del modo de mejora: observe las líneas discontinuas frente a las líneas sólidas. En un modo de agotamiento, el voltaje de la compuerta MOSFET cierra el canal conductor de la fuente (S) al drenaje (D). Con un modo de mejora, el voltaje de la puerta de los MOSFETs abre el canal conductor desde la fuente hasta el drenaje.

conmutador MOSFET de canal N.
Placa 2

En los ejemplos anteriores, encendemos/apagamos un LED utilizando MOSFETs de alimentación. En el caso del canal N, como el IRF630, cuando la puerta (G) es mayor de 5 voltios, el LED se corta. La resistencia en la compuerta del MOSFET de canal N se utiliza para purgar la carga eléctrica de la compuerta y apagar el MOSFET. La resistencia puede ser de 5K a 10K.

IRF630 e IRF9630
Placa 4

La diferencia de voltaje entre la compuerta y la fuente encenderá el MOSFET, pero no debe exceder un valor en la hoja de especificaciones conocido como Vgs. Hacerlo dañará el dispositivo. En el caso de los MOSFET IRF630 e IRF9630, ese valor es de 20 voltios.

Nota los diodos de supresión de parásitos internos son para su uso con cargas magnéticas. No todos los MOSFETs de potencia tienen esos, así que revise las hojas de especificaciones. Estos transistores en particular están optimizados para la conmutación y no para su uso en amplificadores de audio.

Circuito básico de puente MOSFET H de potencia.
Placa 5

El mayor uso de estos circuitos son los controles de motor de puente H. Se utilizan junto con interruptores MOSFET de canal N.

Tenga en cuenta que Rg (o Rgs) se utiliza para purgar las cargas de las puertas de MOSFET o de lo contrario no se pueden apagar.

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